| ブランド | Infineon |
| 商品名 | BSM10GD120DN2 |
| 説明 | トランジスタ |
| 内部コード | YUS532962 |
| 重量 | 1 |
| 技術仕様 | 構成:フルブリッジ マックス。VCEO コレクター-エミッター間電圧:1200 V コレクター-エミッター飽和電圧:2.7 V 25℃での直流コレクタ:15A ドア・エミッタ間漏れ電流:120 nA Dp-消費電力:80 W パッケージ/カバー:エコノパック 2 最低作業温度:-40 C 最高使用温度:摂氏150度 包装:トレイ ブランド:インフィニオンテクノロジーズ 高さ:17 ミリメートル 長さ:107.5 ミリメートル 最大ゲート・エミッタ間電圧:20 V 取り付けスタイル:シャーシマウント 製品タイプ:IGBT モジュール サブカテゴリ:IGBT テクノロジー:はい 幅:45.5 ミリメートル 別名パーツ番号:SP000100367 BSM10GD120DN2BOSA1 単位重量:180 グラム |
説明 Infineon - BSM10GD120DN2 トランジスタ について 日本 最良の価格と納期をご提案させて頂きます。BSM10GD120DN2 製品についてはお問い合わせください。私たちは元来の新製品のみ 弊社は当ウェブページに掲載される取引先のメーカー代表及び正規代理店ではありません。本サイトに掲載されるメーカー名と商標はそれぞれの所有者にあります。
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